Микроскоп тринокулярный «Микромед- 5 ». Модернизированный вакуумный универсальный пост ВУП -2.

Диссертация на тему «Нанокристаллические пленки сульфида и селенида цинка для тонкопленочных электролюминесцентных источников» автореферат по специальности ВАК 0. Приборы и методы экспериментальной физики. Нанокристаллические материалы: методы получения и свойства // Екатеринбург Ур. О РАН, 1. 99. 8. Суздалев И. П. Нанотехнология: физико- химия нанокластеров, наноструктур и наноматериалов // М.: Ком. Книга, 2. 00. 6. Морозова Н. К. Селенид цинка.

Получение и оптические свойства // - М.: Наука, 1. М., Яшина Э. Оптические элементы из сульфида цинка и селенида цинка для инфракрасной техни- ки // Оптический журнал. Турин Н. Т., Шляпин А. В., Сабитов О. Ю. Кинетика электролюминесценции тонкопленочных излучателей на основе сульфида цинка на ультранизких частотах // Журнал технической физики. Верещагин И. К., Ковалев Б. А., Косяченко JI.

A. Электролюминесцентные источники света // М.: Энергоатомиздат, 1. Babucke H., Thiele P., Prasse Т., Rabe M., Henneberger F. Itoh S., Taniguchi S., Hino Т., Imoto R., Nakano K., Nakayama N., Ikeda M. Гончаров Е. Г., Семенов Г. В., Угай Я. А. Химия полупроводников.

Зломанов В. П., Новоселова А. В. Р—Т—х- диаграммы состояния систем металлхалькоген // М.: Наука, 1. Полупроводниковые наноструктуры Cd. Se/Zn. Se, полученные методом молекулярногпучковой эпитаксии: самоформирование, свойства и применение в оптоэлектронике // Дис. Ежовский Ю. К., Денисова О. В. Физико- химические основы технологии полупроводниковых материалов // Учеб.

Назначение, размещение и устройство приемников полного давления. Проверить работоспособность САУ с помощью тест -контроля РТС по ТК . Характеристика основных типов железнодорожных цистерн, применяемых и горючихжидкостей и сжиженных углеводородных газов ( ВУП СНЭ-87). Расчетный расход горячейводы принимается две струи по 2, 5 л/с в течение 30 должна соответствоватьтребованиям инструкции по проектированию и. Необходимо изучить инструкции по эксплуатации установки ВУП–5 и прибора ВИТ–2. Провести внешний осмотр установки, проверить исправность оборудования. Проверить наличие и исправность защитного заземления. Методическое. Основные параметры и характеристики МРС ВУП - 5М : Описание и инструкция по эксплуатации + схемы (760 Kb). 5, В3-38В, Техническое описание и инструкция по эксплуатации + схемы (790 Kb). 6, В3- 52/1. Пост вакуумный универсальный ВУП-5М. Техническое описание и инст-рукция по эксплуатации. Ионный ускоритель ИЛУ-3. Техническое описание. Сост.:В.М.Гусев, С.М.Нафтулин, Н.И.Соколов.

Скачать работу можно здесь На базе вакуумного универсального поста ( ВУП - 5) был реализован метод магнетронного распыления с помощью. Техническое описание и инструкция по эксплуатации. ТЕХНОЛОГИЧЕСКАЯ ИНСТРУКЦИЯ. Москва 2004. Технологическая инструкция по применению ВУП-2.

СПб.: СЗТУ, 2. 00. Кулаков М. П., Кулаковский В. Д., Савченко И. Б., Фадеев А. В. О фазом переходе в кристаллах селенида цинка //Физика твердого тела. Лакин Е. Е., Баженова Л. Т., Шиманская Н. П.

Kikuma I., Furukoshi М. Okada H., Kawanaka Т., Ohmoto S. Медведев C. A. Введение в технологию полупроводниковых материалов // М.: Высшая Школа, 1.

Верма А., Кришна П. Полиморфизм и политипизм в кристаллах // М.: Мир, 1. Яценко О. Б., Чудотворцев И.

Г., Шаров М. К. Основы физики и химии полупроводников // Учебное пособие для вузов ч. Издательско- полиграфический центр Воронежского государственного университета, 2. Морозова Н. К., Кузнецов В. А. Сульфид цинка.

Получение и оптические свойства // М.: Наука, 1. Медведева С. А. Физика и химия соединений An. BVI // M.: Мир, 1.

Абрикосов Н. Х., Банкина В. Обоснование Ввода Штатной Единицы здесь. Ф., Порецкая JI. B., Скуднова Е. В., Чижевская С. Н. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе // М.: Наука, 1.

Физико химическое. Отчет НИИ Химии Саратовского ун- та . Skinner BJ, Barton Р. В. Структурные исследования некоторых окислов и других халькогенидов при нормальных и высоких давлениях // М.: Мир, 1. Термодинамика веществ при высоких давлениях // СПб.: Янус, 2.

Куколь В. В., Лакин Е. Е., Путятин В. Д. Монокристаллы и техника // Харьков: ВНИИМонокристалл. Лакин Е. Б., Куколь В. В., Сысоев А. А. Мартенситные и диффузионные превращения в монокристаллах Zn. S // Изв. АН СССР, Неорг.

Оптические процессы в полупроводниках // М.: Мир, 1. Бонч- Бруевич B. JL. Вопросы электронной теории неупорядоченных полупроводников // Успехи физических наук. Liang А. Х., Rishi R. Борен К., Хаффман Д. Поглощение и рассеивание света малыми частицами // М.: Мир, 1.

Оптические свойства полупроводников // М.: Наука, 1. Борисенко Д. Н. Получение и исследование свойств углеродных наноматериалов и нанокристаллов широкозонных полупроводников. Черноголовка, 2. 00. Ананьева Г. В., Горохова Е. И. Судзик К., Фудзимори X., Хасимото К. Аморфные металлы // под ред. М.: Металлургия, 1.

Меден А., Шо М. Физика и применение аморфных полупроводников // М.: Мир, 1. Морохов И. Д., Трусов Л. И., Чижик С. П. Ульродисперсные металлические среды // М.: Атомиздат, 1. Valeva Е., Necheva D.

Беляев А. П., Рубец В. П. Калинкин И. П. Формирование ориентированных пленок теллурида кадмия на аморфной подложке в резконеравновесных условиях //ЖТФ. Беляев А. П., Рубец В.

П., Антипов В. В. Механизм нуклеации ориентированных пленок теллурида кадмия, формирующихся в резко неравновесных условиях // Физика и техника полупроводников. Беляев А. П., Рубец В.

П. Эффект переключения в гетеропереходах Si- Cd. S, синтезированных в резко неравновесных условиях // Физика и техника полупроводников. Беляев А. П., Рубец В. П., Кукушкин С. А. Сенсорные исследования начальных стадий формирования теллурида кадмия из паровой фазы // Физика твердого тела.

Беляев А. П., Рубец В- . П., Нуждин М. Ю., Калинкин И. П. Влияние резко неравновесных условий на стехиометрию состава слоя теллурида кадмия, конденсируемого из паровой фазы // Физика и техника полупроводников.

Беляев А. П., Рубец В. П., Калинкин И. П. Начальные стадии образования эпитаксиальных пленок соединений А2. В6 в резко неравновесных условиях на подложке из слюды мусковит // ФТТ.

Физико- химические процессы конденсации пленок теллурида и сульфида кадмия в широком интервале температур подложек// автореферат дисс. СПб.: СПГТИ(ТУ), 1. Беляев А. П., Рубец В. П., Калинкин И. П. Оптический край поглощения и его модификации при распаде пленок твердых растворов теллурида и сульфида кадмия // ФТП. Беляев А. П., Рубец В. П., Калинкин И. П.

Корреляционная связь между пропусканием и составом в пленках твердых растворов соединений А2. Вб // Неорганические материалы. Rusu G. I., Ciupina V., Рора M. E., Prodan G., Rusu G. G. П., Соколовская Ж. Д. П., Голенко В. П // Изв. Технология тонких пленок (справочник) // Под ред.

Майссела, Р. Глэнга: пер. Елинсона, Г. Калинкин И.

П., Алесковский В. Б., Симашкевич А. В. Эпитаксиальные пленки соединении А2. Вб // Д.: ЛГУ им.

Жданова, 1. 97. 8. Кукушкин С. А., Осипов А. В. Процессы конденсации тонких пленок // УФН. Т., Hanbucken М Nucleation and growth of thin films // Rep. Калинкин И. П., Алесковский В. Б., Симашкевич A. B. Эпитаксиальные.

О fпленки соединений AB// Л.: ЛГУ им. Жданова, 1. 97. 8.

Ивлев В. М., Трусов А. И., Холмянский В. А. Структурные превращения в тонких пленках //М.: Металлургия. Палатник Л. С., Папиров И. И. Эпитаксиальные пленки // М.: Наука, 1.

Палатник Л. С., Фукс М. Я., Косевич В. М. Механизм образования и субструктура конденсированных пленок // М.: Наука, 1. Кукушкин С. А., Слезов В. В. Дисперсные системы на поверхности твердых тел: механизмы образования тонких пленок (эволюционный подход) // СПб.: Наука, 1. Крылов П. Н., Романов Э.

А., Ветошкин В. М. Сверхвысоковакуумная установка для напыления нанокристаллических полупроводниковых соединений // Вакуумная техника и технология. Масс- спектрометр типа МХ- 7. ЦФ1. 5. 60. Пост вакуумный универсальный ВУП- 5, Техническое описание и инструкция по эксплуатации.

Ануфриев Г. С., Болтенков Б. С., Рябинков А. И. Масс- спектры высокого разрешения остаточного газа в металлической вакуумной системе // ЖТФ. Розанов Л. Н. Вакуумная техника // М.: Высшая школа, 1.

Баранов A. M. Увеличение интенсивности отражения рентгеновского излучения от поверхности при нанесении на нее алмазоподобной углеродной пленки // ЖТФ. Ветошкина В. М. Экспериментальная установка для исследования вакуумно- плазменных- процессов обработки кварца // автореферат канд. Ижевск, 2. 00. 9. Ветошкин В. М., Крылов П.

Н., Романов Э. А. Исследование влияния режимов ионно- плазменной обработки на шероховатость подложек из кварца, поликора и ситалла // Вакуумная техника и технология. Техническое описание и инструкция по эксплуатации. Бриггс В., Сих М. Анализ поверхности методами Оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии // М.: Мир, 1.

Гильмутдинов Ф. З. Термостимулированные изменения в оксидных пленках переходных металлов и сплавов на их основе // канд. ФТИ Ур. О РАН, 1. Фотоэлектронная и Оже- спектроскопия.

Фрименса JL, Вэнника Дж., Декейсера В. Электронная и ионная спектроскопия твердых тел // М.: Мир, 1. Нефедов В. И., Черепин В. Т. Физические методы исследования поверхности твердых тел // М.: Наука, 1. Методика количественного анализа методом ВИМС.

Руководство пользователя к масс- спектометру МС- 7. М // Сумы. Алалыкин С. С., Крылов П. Н. Автоматизация серийной установки рентгеноструктурного анализа ДРОН- 3 // Приборы и техника эксперимента.

Горелик С. С., Скаков Ю. А., Расторгуев JI.

Ренгенографический и электронно- оптический анализ // М.: МИСИС. Картотека Международного центра дифракционных данных JCPDS.